[发明专利]掺杂硅基片无效
| 申请号： | 97117982.4 | 申请日： | 1997-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN1180239A | 公开（公告）日： | 1998-04-29 |
| 发明（设计）人： | G·贝克;D·韦克尔;K·马耶尔 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王景朝 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明建议在硅基片1和聚硅层4之间设置一层用于阻止掺杂物质扩散的氧化硅层3。因此,无需增加为避免自动扩散作用而提供的附加措施,同时保持了硅基片背面上的聚硅层4吸气作用。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 硅基片 | ||
【主权项】：
1.掺杂硅基片(1)，其特征在于：在硅基片背面(2)上涂有一层氧化硅层(3)，并且在氧化硅层(3)上涂有一层聚硅层(4)。
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