[发明专利]具有待测的半导体存储电路的半导体器件无效

专利信息
申请号: 97118050.4 申请日: 1997-09-05
公开(公告)号: CN1134017C 公开(公告)日: 2004-01-07
发明(设计)人: 田边哲也;田野井聪;德永安弘 申请(专利权)人: 冲电气工业株式会社
主分类号: G11C11/34 分类号: G11C11/34;G11C29/00
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 张政权
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 一种半导体器件,它能指定半导体存储电路的存储部件中产生的缺陷部分并缩短其测试所需的时间。此半导体器件包括测试方式产生器,用于产生表示测试类型的测试方式以及由此测试方式所获的期望值;所述半导体存储电路,具有以行和列的矩阵形式排列并分别在其中存储数据的多个存储单元;判定部件,用于把输出的数据与期望值相比较并从中输出比较结果;以及变换部件,用于把比较结果转换成地址数据并把它输出到所述测试装置。
搜索关键词: 有待 半导体 存储 电路 半导体器件
【主权项】:
1.一种半导体器件,具有结合外部测试装置测试其操作的半导体存储电路,其特征在于所述半导体器件包括:测试方式产生器,响应于所述测试装置发出的命令产生表示测试类型的测试方式以及估计待由此测试方式获得的期望值;所述半导体存储电路具有以行和列的矩阵形式排列并分别在其中存储数据的多个存储单元,所述半导体存储电路根据测试方式而启动,从而输出存储在每一列的各个存储单元中的数据;判定部件,用于把输出的数据与期望值相比较并从中输出比较结果;以及变换部件,用于把比较结果转换成地址数据并把它输出到所述测试装置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于冲电气工业株式会社,未经冲电气工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/97118050.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top