[发明专利]高介电常数微波介质陶瓷无效

专利信息
申请号: 97118315.5 申请日: 1997-09-12
公开(公告)号: CN1067360C 公开(公告)日: 2001-06-20
发明(设计)人: 陈湘明;杨敬思 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C04B35/46 分类号: C04B35/46;C04B35/495;H01B3/12
代理公司: 浙江大学专利代理事务所 代理人: 韩介梅
地址: 310027*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开的“高介电常数微波介质陶瓷”是微波通讯元器件的关键材料,它是BaO、(Nd#-[1-x]Bi#-[x])#-[2]O#-[3]、TiO#-[2]、(Ta#-[1-y]Nb#-[y])#-[2]O#-[5]组合而成,各成份含量分别为8.34摩尔%≤BaO≤41.66摩尔%,4.17摩尔%≤(Nd#-[1-x]Bi#-[x])#-[2]O#-[3]≤20.83摩尔%,其中0≤x≤0.15,25.0摩尔%≤TiO#-[2]≤58.33摩尔%,12.5摩尔%≤(Ta#-[1-y]Nb#-[y])#-[2]O#-[5]≤29.17摩尔%,其中0≤y≤1.0,各成分含量百分数之和为100摩尔%。本发明提供的微波介质陶瓷,其介电常数可达80~155,同时具有低损耗与较小的谐振频率温度系数。
搜索关键词: 介电常数 微波 介质 陶瓷
【主权项】:
1.高介电常数微波介质陶瓷,其特征在于它是以BaO、(Nd1-xBix)2O3、TiO2、(Ta1-yNby)2O5组合而成的钨青铜结构的复合固溶体,各成分的含量分别是:设BaO的含量为m8,34摩尔%≤m≤41.66摩尔%(Nd1-xBix)2O3的含量为n4.17摩尔%≤n≤20.83摩尔%,其中0≤x≤0.15TiO2的含量为p25.0摩尔%≤p≤58.33摩尔%(Ta1-yNby)2O5的含量为q12.5摩尔%≤q≤29.17摩尔%,其中0≤y≤1.0m+n+p+q=100摩尔%。
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