[发明专利]半导体存储器无效
| 申请号： | 97118413.5 | 申请日： | 1997-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN1189673A | 公开（公告）日： | 1998-08-05 |
| 发明（设计）人： | 田中信二 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在现有的半导体存储器中,当选择线固定在低电位时,必须在存储器阵列内重新配置电源线Vss,存在出现浪费的问题。具有配置在低电位电源线24和选择线16之间的N型晶体管26,低电位电源线24与读出放大器22连接,读出放大器22与连接到存储单元的位线对21连接并将位线对21的微小电位放大,选择线16通过译码器15来选择存储单元,还具有以选择线激活信号和SA激活信号作为输入的控制电路27,控制电路27的输出与N型晶体管26的栅极连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1、一种半导体存储器，具有为了选择存储器阵列而连接的多条选择线，其特征在于，包括：由第1信号激活并选择上述选择线的译码器；与低电位电源线和连接到存储单元的位线连接的、同时由第2信号激活后将位线的电位放大的读出放大器；配置在与该读放大器连接的低电位电源线和选择线之间的、由第1信号和第2信号的任何一方或两方控制的、将选择线固定在低电位的开关元件。
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