[发明专利]半导体激光元件无效
| 申请号： | 97118448.8 | 申请日： | 1997-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN1159811C | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 庄野昌幸;广山良治;米田幸司;西田丰三;别所靖之 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体激光元件，其特征在于，具备：n型敷层、形成于n型敷层上，包含一层或多层量子势阱层的量子势阱结构的活性层、由在活性层上形成的平坦部和该平坦部上的带状脊部构成的p型敷层、以及形成于所述平坦部上，覆盖脊部的侧面，同时形成于从一方的谐振器端面到规定距离上的位置的脊部上表面的区域上的电流阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光元件，依序包含：第1导电型包层、具有包含一层或多层的量子势阱层的量子势阱结构的活性层、以及与上述第1导电型相反的第2导电型的包层；所述第1导电型包层、所述活性层、以及所述第2导电型包层构成谐振器；其特征在于，还包含：阻止电流注入所述活性层的至少一方的谐振器端面一侧的区域的电流注入阻挡结构；所述电流注入阻挡结构包含形成于所述第2导电型包层上，具有用于电流注入的带状开口部的电流阻挡层；所述带状开口部沿着谐振器的长度方向配置于从至少一方的谐振器端面到离开规定距离的位置；从所述至少一方的谐振器端面起的所述规定距离为10微米以上，40微米以下。
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