[发明专利]制作半导体存贮器件的电容器下电极的方法无效
| 申请号： | 97118523.9 | 申请日： | 1997-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN1211820A | 公开（公告）日： | 1999-03-24 |
| 发明（设计）人： | 南升熙;金荣善;朴泳旭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/8242;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 制作半导体存贮器件电容器下电极的方法。在衬底上形成绝缘膜图形,具有将衬底的预定区域暴露的接触孔。在所形成膜的全表面淀积掺杂非晶硅膜。下电极图形通过光刻成形非晶硅膜而形成。通过清洗从所形成膜去除沾污和表面氧化膜。非晶硅薄层通过将清洗过的所形成膜装入保持高真空的处理室并以预定时间向处理室提供预定气体而淀积到下电极图形的表面上。在非晶硅薄层上许多硅单晶核形成并生长,进而形成具有粗糙表面的下电极。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 半导体 存贮 器件 电容器 电极 方法 | ||
【主权项】：
1．一种用于制作半导体存贮器件的电容器下电极的方法，下电极由具有包括用于安装圆片于其上的基座的密封处理室的薄膜淀积设备形成，所述方法包括步骤：(a)在半导体衬底上形成绝缘膜图形，所述绝缘膜具有接触孔使所述半导体衬底的预定区域暴露；(b)在所述所形成膜的全表面淀积掺杂非晶硅膜；(c)光刻成形所述非晶硅膜形成下电极图形；(d)通过清洗所述所形成膜，从所述所形成膜的表面去除沾污和表面氧化层；(e)通过将所述清洗过的所形成膜装入所述保持高真空的处理室，淀积非晶硅薄层到所述下电极表面，并且将预定气体以预定时间通入所述处理室；并且(f)在所述非晶硅薄层上形成并生长许多硅单晶核进而形成具有粗糙表面的下电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
