[发明专利]半导体晶片的湿法处理装置无效
| 申请号： | 97118604.9 | 申请日： | 1997-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1124642C | 公开（公告）日： | 2003-10-15 |
| 发明（设计）人： | 韩石彬 | 申请（专利权）人： | LG半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄敏 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在处理液中浸洗半导体晶片的湿法处理装置。该装置包括处理箱，围绕处理箱的排放槽、处理箱中的流量控制板、向处理箱供应处理液的供应管、从排放槽带走处理液的排放管。该装置中的任何两壁皆以具有弧度的曲面相连，所述弧度足以减小曲面处污物的聚集。管道以弯曲环面与壁相连，任何两壁皆具有弧度，该弧度足以减小弯曲环面处的磨蚀。曲面可以由近似曲面代替，只要近似曲面的弧度足以减少聚集/磨蚀即可。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 湿法 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片的湿法处理装置，该装置中放入半导体晶片进行处理，所述装置包括：处理液供应管；处理箱，其构成为：其与所述处理液供应管相连的底部、所述处理箱的侧壁内侧彼此交会的部位、及其侧壁内侧与所述底部内侧交会的部位皆制成曲面；围绕所述处理箱的侧壁形成的排放槽；及与所述排放槽底部相连的排放管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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