[发明专利]具有阻尼线圈的超导限流装置无效

专利信息
申请号: 97118655.3 申请日: 1997-09-18
公开(公告)号: CN1211802A 公开(公告)日: 1999-03-24
发明(设计)人: 朱柏;朱敏皙;朱庸皙 申请(专利权)人: 朱柏;朱敏皙;朱庸皙
主分类号: H01F6/06 分类号: H01F6/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种磁芯中引入空隙的超导限流装置可适用于各种电力系统。即使在瞬变条件下,具有和初级线圈耦接的两个并行通路的磁路、空隙及阻尼线圈可改善超导限流性能。
搜索关键词: 具有 阻尼 线圈 超导 限流 装置
【主权项】:
1.一种超导限流装置,包含:具有一个主磁支路和多个并行磁支路以在饱和点之上控制磁通量的磁芯;由具有初级线圈的所述主磁支路和所述的多个并行磁支路组成的磁通路径,至少两个所述的并行磁支路由多个相对于主磁支路的并行支路组成;其中,磁通量被限制在由磁性材料和空隙构成或由磁性材料构成的所述磁通路径中;所述空隙和所述磁通路径的长度可变,从而可调节所述磁通路径的磁阻;取决于沿所述中央磁通路径的位置的横截面可变,从而可调节所述磁通路径的磁阻;安装在所述并行磁支路上提供增强的限流性能及控制磁通量数量的阻尼线圈;其中所述的阻尼线圈采用短路常规导电线圈、短路常规导体,或采用短路超导线圈或短路超导体,在超导状态下更为有效,阻尼线圈利用短路导体的磁通量消除特性来控制并行磁支路上磁通量高于饱和点,所述的超导体(或常规导体)包括多个超导体(或常规导体),至少一个所述的超导体(或常规导体)包括多并行传导途径部分(件),各并行传导途径部分在至少一个超导体(或常规导体)中其之间具有间隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朱柏;朱敏皙;朱庸皙,未经朱柏;朱敏皙;朱庸皙许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/97118655.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top