[发明专利]用于化学蒸气淀积反应器的气体喷射装置无效
申请号: | 97119279.0 | 申请日: | 1997-08-07 |
公开(公告)号: | CN1176317A | 公开(公告)日: | 1998-03-18 |
发明(设计)人: | 约瑟夫·H·麦克利什;罗伯特·D·梅尔霍;马海什·K·桑加尼里亚;德尔索拉尔·苏尔里兹 | 申请(专利权)人: | 康塞普特系统设计公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人: | 李晓舒 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 化学蒸气淀积反应器,包括独立的反应室和压力室。反应室包容在压力室中,将作业气体与压力室隔绝。还包括气体喷射装置,它对作业气体进行预热,并使扩散后的作业气体穿过反应室的底面,以大致垂直的方向喷射到反应室中。气体喷射装置还使氢气或其它适当的气体穿过反应室的底面,以垂直的方向喷射到反应室中。氢气或其它适当气体的气流使作业气体的气流转向为平行于晶片的顶面。这样,减小了作业气体引入长度和在反应室表面上的不利淀积。 | ||
搜索关键词: | 用于 化学 蒸气 反应器 气体 喷射 装置 | ||
【主权项】:
1.用于向加工晶片的反应室中喷射一种或多种作业气体的喷射装置,所述的气体喷射装置包括:在所述反应室的底面的第一部分上成形的一个或多个第一槽;以及在所述反应室的底面的第二部分上成形的一个或多个第二槽,所述的一个或多个第二槽位于一个或多个第一槽和反应室的侧壁之间;其特征在于,第一气体穿过所述的一个或多个第二槽,沿着朝向晶片的方向被喷入到所述反应室中;所述的一种或多种作业气体穿过所述的一个或多个第一槽被喷入到所述反应室中,所述的第一气体用于使所述的一种或多种作业气体转向为基本平行于晶片表面的流型。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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