[发明专利]切克劳斯基法生长硅的温度和时间关系的控制方法无效
| 申请号： | 97119290.1 | 申请日： | 1997-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN1178844A | 公开（公告）日： | 1998-04-15 |
| 发明（设计）人： | 哈罗德·W·考伯;萨达西瓦姆·钱德拉斯克哈尔;罗伯特·J·法尔斯特;约瑟夫·C·霍泽尔;金永民;斯蒂芬·L·基贝尔;拉里·E·德拉夫;塞尔德扬·伊里克 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 从内装熔融硅的与硅锭同轴设置的坩埚中制成温度与时间关系均匀的单晶硅的切克劳斯基法。按相当于硅锭主体第2半的提拉速度的较稳定的提拉速度拉制硅锭尾锥。按恒定速度拉制晶体尾锥,可单独和组合使用增加供给熔融体的热量,减小晶体旋转速度和/或减小坩埚旋转速度,使方法更严格。按本方法生长的单晶硅锭主体第2半中,流网缺陷浓度和氧沉淀量的轴向分布较均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 克劳斯 生长 温度 时间 关系 控制 方法 | ||
【主权项】：
1、晶体生长工艺中控制单晶硅锭的温度与时间关系的方法，其中，按切克劳斯基法从内装熔融硅的旋转坩埚中旋转拉出硅锭，硅锭依次为锥体，具有第1半和第2半的主体，有第1半和第2半的尾锥；该方法包括以下步骤：按速度RB从熔融硅拉出硅锭主体的第2半，其中RB是晶体主体第2半的平均生长速度，它是时间的函数；按速度RE从熔融硅拉制硅锭的尾锥，其中RE是硅锭尾锥的平均生长速度，它是时间的函数；其特征是，把RB和RE控制成RE与RB之比在0.50至1.50之间。
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