[发明专利]溅射方法和溅射设备无效
| 申请号： | 97119330.4 | 申请日： | 1997-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1152977C | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | 奥田晃;横山政秀;早田博 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/54 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种在放电开始之前通常保持打开的触发气体馈给系统。当产生放电时，即刻关闭触发气体馈给系统，从而使真空室处于溅射压力。在放电完成之后再次打开触发气体馈给系统。持续打开状态直至开始另一次放电。因此，在放电前真空室压力总是保持恒定，并且将真空室恢复到溅射压力的时间缩短。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种溅射方法，通过对其上配有靶的一个阴极(2)通电，然后在一真空室(5)内产生放电而处理基体(3)，所述方法包括：在安放基体到真空室中之前在真空室内加入触发气体，使得真空室内的压力增加到高于原先设定的溅射压力；当检测到放电时刻停止加入所述气体，从而使真空室的压力变为所述溅射压力；在该溅射压力下处理放在真空室内的基体；此后，当在真空室内检测不到放电时，用一个新的基体替换处理过的基体，从而将新的基体安放到真空室中，同时在真空室内加入触发气体；以及继续加入所述气体，直到在真空室内检测到放电。
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