[发明专利]用于产生和发射自旋极化电子的方法和电子发射器件无效
| 申请号： | 97119555.2 | 申请日： | 1995-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN1187024A | 公开（公告）日： | 1998-07-08 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·D·赫特;斯考特·A·哈尔平 | 申请（专利权）人： | 特拉斯通公司 |
| 主分类号： | H01J29/48 | 分类号： | H01J29/48 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 电子发射器件,包括第一导电材料;与其磁耦合的磁性超薄膜;位于二者之间的电绝缘透磁介质;电耦合于磁性超薄膜的第二导电材料,形成受到电场冲击时发射电子的结构;以及电耦合于发射电子结构的正极,产生冲击发射电子结构的电场。产生和发射自旋极化电子的方法,对第一导电材料施加电压建立磁场极性;在磁性超薄膜中极化电子;对磁性超薄膜施加电流提供自旋极化的电子流;通过对第二导电材料施加电场以发射极化电子。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 产生 发射 自旋 极化 电子 方法 器件 | ||
【主权项】：
1.用于产生和发射自旋极化电子的电子发射器件，包括：第一导电材料；磁耦合于第一导电材料的磁性超薄膜；位于第一导电材料和磁性超薄膜之间的电绝缘的透磁介质；电耦合于磁性超薄膜的第二导电材料，形成为具有受到电场冲击时发射电子的结构；以及电耦合于发射电子结构的正极，用于产生冲击发射电子结构的电场。
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