[发明专利]具有难熔金属覆盖的低阻金属导体线路和通路的器件无效
| 申请号： | 97119556.0 | 申请日： | 1993-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1112730C | 公开（公告）日： | 2003-06-25 |
| 发明（设计）人： | 雷吉夫·Ｖ·乔西;杰罗姆·Ｊ·库欧莫;霍玛兹雅·Ｍ·达拉尔;路易斯·Ｌ·苏 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/283 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种包括一衬底、一位于所述衬底上的介质层以及位于该介质层上的一个窗口内的金属化部分的器件，其中的金属化部分从与上述介质层和衬底的界面共平面的表面延伸出来，由窗口内侧表面上的衬垫、衬垫上的低电阻率金属或合金组成，其上覆盖有难熔金属或合金盖层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 覆盖 导体 线路 通路 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：一衬底；一位于所述衬底上的介质层，以及位于所述介质层上的一个窗口内、从所述衬底的表面延伸出来的金属化部分，所述金属化部分由位于所述窗口内侧表面的难熔金属或合金衬垫、形成在所述衬垫上的低电阻率金属或合金以及覆盖在所述低电阻率金属或合金上的难熔金属或合金盖层组成，其中，所述衬垫的难熔金属或合金不同于所述盖层的难熔金属或合金。
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