[发明专利]半导体存储器的加速试验方法无效
| 申请号： | 97119623.0 | 申请日： | 1997-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1132246C | 公开（公告）日： | 2003-12-24 |
| 发明（设计）人： | 嶋田恭博;中尾圭策;井上敦雄;吾妻正道;藤井英治 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;G01R31/26 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 在本发明的半导体存储器的加速试验方法中，求出在某个温度T1下的信息保持寿命时间t1等于另一个温度条件T2下的信息保持寿命时间t2的乘幂的关系式，t1＝t2m，而且用与玻尔兹曼因子成比例的温度的函数表示幂指数m。基于该关系式从某个温度T1下的信息保持寿命时间t1来计算另一个温度T2下的信息保持寿命时间t2。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 加速 试验 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器的加速试验方法，所述存储器的存储单元中包括强电介质薄膜，通过温度加速来评价在没有供给电源的状态下保持于该半导体存储器中的信息保持寿命时间，其特征在于：求出在某个温度T1下的信息保持寿命时间t1与另一个温度T2下的信息保持寿命时间t2的关系式，t1＝t2m；用温度的函数表示幂指数m；基于该关系式从某个温度T1下的信息保持寿命时间t1来计算另一个温度T2下的信息保持寿命时间t2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/97119623.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种投影电视
- 下一篇：獭狸胆红素和獭狸血红素及其制取方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
