[发明专利]地址变换检测加法电路无效

专利信息
申请号: 97120126.9 申请日: 1997-11-06
公开(公告)号: CN1114270C 公开(公告)日: 2003-07-09
发明(设计)人: 黄明夏 申请(专利权)人: LG半导体株式会社
主分类号: H03K19/00 分类号: H03K19/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 陆弋
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在上拉时使进行上拉的PMOS晶体管的栅极输入电压保持在中间电平的地址变换检测加法电路,该电路包括:进行上拉的PMOS晶体管;把多个ATD信号相加的地址变换检测加法单元;延迟地址变换检测加法节点信号的延迟单元;及多个反相器,还包括用于使PMOS晶体管的输入电平保持在中间电平的输入信号发生单元,代替与PMOS晶体管的栅极输入相连的NAND门,所以,尽管输入了短脉冲的ATD信号,但仍能使地址变换检测加法信号的宽度增大成和短脉冲的ATD信号一样宽,启动地址变换检测加法信号,以灵敏地响应短脉冲,从而防止芯片工作故障。
搜索关键词: 地址 变换 检测 加法 电路
【主权项】:
1.一种地址变换检测加法电路,包括:上拉装置,用于对输入信号执行上拉;地址变换检测加法单元,把上拉装置的输出与多个NMOS晶体管的输出相加,这些NMOS晶体管分别接收地址变换检测(ATD)信号;延迟单元,用于延迟来自地址变换检测加法单元的信号;和输入信号发生单元,其与延迟单元相连,并且当ATD信号为短脉冲ATD信号时,其使上拉装置的输入信号保持在中间电平。
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