[发明专利]具有改进结构并减小所占面积的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 97120420.9 | 申请日： | 1997-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN1189697A | 公开（公告）日： | 1998-08-05 |
| 发明（设计）人： | 马场俊 | 申请（专利权）人： | 冲电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件,包括形成于半导体衬底的器件区中的源和漏,及杂质浓度高于器件区杂质浓度的电极缩回部分。电极缩回部分形成为与源和漏中的一个接连。邻近电极缩回部分的源或漏的电极共用作电极缩回部分的电极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 结构 减小 面积 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：形成于半导体衬底器件区的源和漏，源和漏通过栅压控制其间的电流，并分别具有电极；及形成于器件区中以便连接所述源和漏中的任一个的器件区电极缩回部分，该部分的杂质浓度高于器件区的杂质浓度；所述电极附着于所述源和漏中的一个并邻接所述电极缩回部分，共同用作所述电极缩回部分的电极。
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