[发明专利]实现数据的读修改写操作的方法和电路以及半导体存储器

摘要

能读修改写数据的半导体存储器，包括：含有能读写数据的多个存储单元的存储单元矩阵；根据读地址独立地译码读存储单元地址的读地址译码装置；根据写地址独立地译码写存储单元地址的写地址译码装置；数据读装置；数据写装置；和地址延迟装置，把写地址译码装置译码的写地址从读地址译码装置译码的读地址延迟一段预定的设为多次的基本同步脉冲周期的时间，以流水线的方式完成数据读修改写操作。

主权项

1、能够执行数据的读修改写的半导体存储器，包括：包括以矩阵形式排列的、能够被写入和读出的多个存储单元的存储单元阵列；根据第一分配地址独立地译码存储单元的读地址的读地址译码装置；根据第二分配地址独立地译码存储单元的写地址的写地址译码装置；读出被所述读地址译码装置的所述译码读地址寻址的存储单元的数据的数据读装置；把数据写入被所述写地址译码装置的所述译码与地址寻址的存储单元的数据的数据写装置；以及地址延迟装置，把被所述写地址译码装置译码的译码写地址从被所述读地址译码装置译码的读地址延迟一段预定时间，该段预定时间被定为预定多次的基本同步的脉冲周期，以便利用所述基本同步脉冲以流水线的方式完成数据读修改写操作。