[发明专利]磁头及其制造方法无效

专利信息
申请号: 97120643.0 申请日: 1997-09-09
公开(公告)号: CN1084907C 公开(公告)日: 2002-05-15
发明(设计)人: 山西斉;青仓勇;小佐野浩一;井上靖;酒井典夫 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G11B5/23 分类号: G11B5/23
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张志醒,王岳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种磁头,包括铁氧体制成的后芯和位于磁隙附近的磁合金膜,并具有一个由TxMyNz表示的均匀组分,其中T是Fe或Co;M是从由Nb、Zr、Ta、Hf、Cr、W和Mo组成的族中选出的至少一种金属;N是氮;x、y和z是原子百分比,保持在65≤x≤94,5≤y≤25,0≤z≤20和x+y+z=100。磁头包括氮浓度高于整个磁合金膜中所含的氮浓度的氧扩散防止部分,氧扩散防止部分被提供在与铁氧体芯交界面部分的磁合金膜上。
搜索关键词: 磁头 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种磁头,包括铁氧体制成的后芯(1)和位于磁隙(3)附近的磁合金膜(2),并具有一个由TxMyNz表示的平均成分,其中T是Fe或Co;M是从由Nb、Zr、Ta、Hf、Cr、W和Mo组成的族中选出的至少一种金属;N是氮;x、y和z是原子百分比,保持在65≤x≤94,5≤y≤25,0≤z≤20和x+y+z=100,磁头包括氮浓度高于整个磁合金膜中所含的氮浓度的氧扩散防止部分(5),氧扩散防止部分(5)被提供在与铁氧体芯(1)交界面部分的磁合金膜(2)上,其中被设置为不小于整个磁合金膜中所含的氮的平均浓度的两倍且不大于整个磁合金膜中所含的氮的平均浓度的十倍的较高氮浓度的氧扩散防止部分(5)被提供在与铁氧体芯(1)交界面部分的磁合金膜(2)上。
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