[发明专利]使用快速存储器单元的熔丝初始化电路无效
| 申请号： | 97120829.8 | 申请日： | 1997-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1159724C | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 金承德 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/414 | 分类号： | G11C11/414 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马莹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种使用快速存储单元的修复熔丝初始化电路，在对修复熔丝电路进行初始化时，通过在电压成为设定电压的状态下进行初始化，从而能够消除在低电压下的误锁存。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 快速 存储器 单元 初始化 电路 | ||
【主权项】：
1.一种修复熔丝电路，包括与第一电流提供单元在第一节点连接的第一快速存储单元，以及与第二电流提供单元在第二节点连接且相互并联的至少两个以上的第二快速存储单元，所述第一和第二电流提供单元由连接在电源电压上的交叉耦合的锁存电路构成，其特征是，所述修复熔丝电路还包括：连接于所述第一节点的第一负载晶体管以及连接于所述第二节点的第二负载晶体管，用于暂时地对所述第一和第二节点进行预充电；以及低脉冲发生电路，用于产生控制所述第一负载晶体管和第二负载晶体管的控制信号，使得所述第一负载晶体管和第二负载晶体管暂时地对所述第一和第二节点进行预充电，并使所述修复熔丝电路在其电压上升到高电压的状态下被初始化。
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