[发明专利]功率晶体管无效
| 申请号： | 97121136.1 | 申请日： | 1997-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN1148803C | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 上内元 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 孙敬国 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明揭示一种功率晶体管。包括在成为集电极层的基片表面上选择扩散基极层、且在该基极层上选择扩散发射极层，形成平面型晶体管。在该平面型晶体管的芯片表面的集电极层设置电流检测用电极。在基片的背面形成集电极电极。当晶体管工作、集电极电流流动时，基于基片的电阻、在集电极电极和电流检测用电极之间，生成对应于集电极电流的电压。因此，晶体管能对集电极电流进行检测、并将电流检测信号传送到控制用IC中。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
1 一种功率晶体管，为一纵向功率晶体管，所包括的晶体管芯片具有：作为集电极层的基片；靠选择扩散形成于所述基片上的基极层；以及靠选择扩散形成于所述基极层上的发射极层，集电极电流沿所述基片厚度方向流过，其特征在于，所述功率晶体管包括：设于所述晶体管芯片中所述基极层一侧表面的集电极层的电流检测用电极；设于所述晶体管芯片中相对于所述基极层一侧面的相反面的电极；以及根据所述电流检测用电极和所述电极两者间的电位差，检测所述集电极电流的检测电路。
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