[发明专利]电子器件的制造方法无效
| 申请号： | 97121182.5 | 申请日： | 1997-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN1093982C | 公开（公告）日： | 2002-11-06 |
| 发明（设计）人： | 进藤寿;冲田彰 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/311;G02F1/136;B41J2/01 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种用于制造在衬底上具有氮化硅膜的电子器件的工艺，包括下述步骤分别在用于形成元件的衬底表面和衬底的相反表面上形成氮化硅膜，分别在所述氮化硅膜上叠层氧化硅膜；在用于形成元件的衬底表面一侧的所述氧化硅膜上存在抗蚀剂的状态下，用湿法刻蚀除去所述相反表面一侧的所有氧化硅膜；用湿法刻蚀除去所述相反表面上的所有氮化硅膜；以及用湿法刻蚀除去用于形成元件的衬底表面一侧的所有氧化硅膜，使所述氮化硅膜保留在用于形成元件的衬底表面一侧上。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造电子器件的工艺，其中，在用于形成元件的衬底表面上形成有氮化硅膜，在该氮化硅膜上将形成所述元件，所述工艺包括以下步骤：分别在用于形成元件的衬底表面和衬底的相反表面上形成氮化硅膜；分别在所述氮化硅膜上叠层氧化硅膜；在用于形成元件的衬底表面一侧的所述氧化硅膜上存在抗蚀剂的状态下，用湿法刻蚀除去所述相反表面一侧的所有氧化硅膜；用湿法刻蚀除去所述相反表面上的所有氮化硅膜；以及用湿法刻蚀除去用于形成元件的衬底表面一侧的所有氧化硅膜，使所述氮化硅膜保留在用于形成元件的衬底表面一侧上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
