[发明专利]具有自对准触点半导体存储器件的制造方法

摘要

制造半导体存储器件的方法，包括：在衬底上形成被氮化物隔离层覆盖的栅电极。在栅电极之间的衬底表面上形成热氧化物层。然后，在整个表面上形成刻蚀阻挡层到使得栅电极之间的间隙不被隐埋的合适厚度。然后，形成覆盖栅电极之间间隙和顶部的第一ILD膜并使之图形化形成暴露隔离层和刻蚀阻挡层的压焊区焊盘孔。然后去除刻蚀阻挡层和热氧化物层以暴露衬底表面，用导电材料填充压焊区焊盘孔以形成压焊区焊盘。

主权项

1、制造半导体器件的方法，包括步骤：(a)在半导体衬底上形成栅电极，栅电极覆盖有氮化物隔离层；(b)在(a)步骤中所得结构的整个表面上形成使得栅电极之间的间隙不被隐埋的合适厚度的刻蚀阻挡层；(c)形成覆盖栅电极之间的间隙和栅电极顶部的第一层间介质(ILD)膜，形成该第一ILD膜的步骤包括以下步骤：(c1)在具有刻蚀阻挡层的所得结构上形成第一氧化物层；(c2)用刻蚀阻挡层作为刻蚀中止点刻蚀第一氧化物层以形成平面化的第一氧化物层；以及(c3)在平面化的第一氧化物层上形成第二氧化物层；(d)使第一ILD膜图形化形成暴露隔离层和刻蚀阻挡层的压焊区焊盘孔；(e)去除刻蚀阻挡层以暴露半导体衬底的表面；(f)用导电材料填充压焊区焊盘孔以形成压焊区焊盘；(g)在具有压焊区焊盘的所得结构上形成第二ILD膜；(h)使第二ILD膜图形化形成暴露压焊区焊盘部分表面的位线接触孔；(i)在位线接触孔中形成位线接触栓；和(j)在步骤(i)的所得结构上形成位线，该位线连结到位线接触栓。