[发明专利]利用依赖磁场强度的软磁元件的阻抗变化的磁传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 97121378.X | 申请日： | 1997-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN1186295A | 公开（公告）日： | 1998-07-01 |
| 发明（设计）人： | 吉田哲男;荒井贤一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东金;荒井贤一 |
| 主分类号： | G11B5/33 | 分类号： | G11B5/33;G11B5/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王忠忠,王岳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 磁传感器包括具有互相相对的第一和第二表面的绝缘基片,具有末端互相相对的软磁元件并装在绝缘基片的第一表面上,和装在绝缘基片的第二表面上的导体,和耦合到软磁元件的第一和第二端的输出端口,以得到在第一和第二端间软磁元件的阻抗。阻抗变化依赖于加到软磁元件的磁场强度。在磁传感器中,软磁元件是软磁线。导体是接地导体。磁传感器还包括用接地导体连接软磁线的第一端的短路导体,同时输出端口连接短路导体和软磁线的第二端。软磁元件包括软磁薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 依赖 磁场强度 元件 阻抗 变化 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于检测磁场强度的磁传感器，包括：具有第一和第二互相相对的表面的绝缘基片；具有第一和第二互相相对的末端并装在所述绝缘基片的所述第一表面上的软磁元件；装在所述绝缘基片的所述第二表面上的导体；和耦合到所述软磁元件的所述第一和所述第二末端的输出端口，以得出在所述第一和所述第二末端之间的所述软磁元件的阻抗，所述阻抗变化依赖于施加到所述软磁元件的磁场强度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东金;荒井贤一，未经株式会社东金;荒井贤一许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/97121378.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
