[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 97121540.5 | 申请日： | 1997-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN1158667C | 公开（公告）日： | 2004-07-21 |
| 发明（设计）人： | 伊藤孝 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 姜郛厚;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是减小接通电源后的消耗电流。初始化电路(20)，响应电源的接通而将上述自刷新控制电路(30)激活。电源接通后半导体存储装置进入自刷新方式，无论外部行地址选通信号/RAS为何种逻辑状态，在接通电源后，RAS相关控制电路(10b)都处在初始状态，所以，可以将消耗电流减小到与等待电流相当的程度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，具有多个存储单元，其特征在于备有：自刷新控制信号产生电路，包含定时器并产生根据上述定时器的输出信号将上述多个存储单元的存储数据按规定的时间间隔刷新用的控制信号；上述定时器驱动上述输出信号，使上述自刷新控制信号产生电路的激活状态为维持规定时间的激活状态；并且备有初始化电路，响应于上述半导体存储装置根据来自外部的电源电压被接通的情况，将上述自刷新控制信号产生电路激活。
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