[发明专利]固态图像拾取器件及其控制方法无效
申请号: | 97121720.3 | 申请日: | 1997-12-17 |
公开(公告)号: | CN1097315C | 公开(公告)日: | 2002-12-25 |
发明(设计)人: | 田边顕人 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H01L21/339 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一个具有一个用于从携带图像的光产生电荷分组的光电二极管(36),形成在光电二极管之下的垂直溢流漏极(32/33),通过传输门晶体管(50)有选择地连接于光电二极管的电荷转移沟道区(37),分别以电容方式耦合于所述电荷转移沟道区的电阻性栅极(49a),和一个连接于电阻性栅极远端和更靠近一个水平电荷转移单元(46)的电阻性栅极的近端的脉冲信号源(RG1/RG2)的固态图像拾取器件,在电荷分组转移到电荷转移沟道区之后脉冲信号源在电荷转移沟道区中产生电位梯度,以使电荷分组能够通过水平电荷转移单元输送而不用大的水平电荷转移信号。 | ||
搜索关键词: | 固态 图像 拾取 器件 及其 控制 方法 | ||
【主权项】:
1.一种控制固态图像拾取器件的方法,该固态图像拾取器件包括:多个光电转换器件(36),用于从一个携带图像的光产生电荷分组,多个电阻性栅极电荷转移单元(41),分别具有相应的电荷转移沟道区(37)和相应的以电容方式耦合于所述电荷转移沟道区的电阻性栅极(40),多个第一传输门元件(50),分别具有连接在所述多个光电转换器件和所述电荷转移沟道区之间的相应第一传输门沟道区(32a),并且有选择地在导通状态和截止状态之间变化,用来向所述电荷转移沟道区转移特定电荷分组,和多个可连接于所述电荷转移沟道区的电荷累积势阱,用来累积所述电荷分组,水平电荷转移单元(46),可电连接于所述多个电荷累积势阱,用来向一个输出电路(54)转移所述电荷分组,所述电荷转移沟道区具有相应的第一端(RG1)和相应的比所述第一端更靠近所述水平电荷转移单元的第二端(RG2),其特征在于:所述方法包括步骤:a)使所述第一端(RG1)下的所述电荷转移沟道区中的电位高于处在所述导通状态的所述第一传输门沟道区(32a)中的电位,以便分别通过所述第一传输门沟道区向所述电荷转移沟道区转移所述特定电荷分组,b)把所述第一传输门元件(50)转变为所述截止状态,和c)把所述第一端(RG1)下的所述电荷转移沟道区中的电位转变为低于在所述步骤a)中所述第一端下的所述电荷转移沟道区中的所述电位和一个所述第二端(RG2)下的所述电荷转移沟道区中的电位,并且高于在所述截止状态的所述第一传输门沟道区(32a)中的所述电位的特定电平,以便向所述多个电荷累积势阱转移所述特定电荷分组。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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