[发明专利]静电放电保护电路和使用该保护电路的单片机系统无效
| 申请号： | 97121958.3 | 申请日： | 1997-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN1139995C | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 成田熏 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;G06F1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种具有静电放电保护电路的单片机系统，保护电路用于有效地防止系统的静电感应和静电放电(ESD)，并且使该系统没有缺陷，该系统包括一个接收信号的焊点，一个连接到该焊点的保护元件和一个连接到保护元件的放电线。该保护元件由一个单独双极性晶体管区和至少一个处于相邻双极性晶体管区的二极管区组成。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 电路 使用 单片机 系统 | ||
【主权项】：
1、一种在基片上构成的单片机系统，其静电放电保护电路包括：一个接收信号的焊点；一个连接到上述焊点的保护元件；一个连接到上述保护元件的放电线；并且在上述保护元件里包含一个单独的双极型晶体管区和至少一个与上述双极型晶体管区相邻的二极管区；其中所述基片为第一导电型半导体基片，并且其中所述的双极型晶体管区包括：多个具有第二导电型的矩形的第一扩散区，它们形成在所述的基片内并连接到所述焊点；多个具有所述第二导电型的矩形的第二扩散区，它们形成在所述基片内并连接到所述放电线；所述的矩形的第一扩散区与所述的第二扩散区相邻且相互平行，并且所述为矩形的第一扩散区与第二扩散区的角均为钝角。
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