[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

提高pn结的耐压和缓和电场的同时，对场效应晶体管的特性不造成坏影响的杂质浓度分布，在硅衬底上形成n型源漏区域；在形成p阱形成用掺杂区域、p沟截止区域和p沟掺杂区域中具有峰值浓度；n源漏区域杂质浓度分布，以低浓度与p杂质浓度分布交叉，而且比p沟截止区域和p沟掺杂区域的杂质浓度高，在它们的深度近旁，有磷注入区域，出现了各自的峰值浓度；在磷注入区域的峰值浓度之间，n源漏区域的浓度分布具有极小点或拐点。

主权项

1、一种半导体器件，具备有：具有主表面的第1导电型半导体衬底；形成为从上述半导体衬底的主表面开始向深度方向延伸且具有第2导电型杂质浓度分布的第2导电型杂质区域；上述半导体衬底具有从上述主表面开始向深度方向延伸的第1导电型杂质浓度分布；上述第1导电型杂质浓度分布，在距上述主表面第1深度上具有杂质浓度的第1极大点，在比上述第1深度还深的第2深度上具有第2极大点及在比上述第2深度还深的区域上具有显示出比第1和第2极大点小的杂质浓度的浓度区域；上述第2导电型的杂质浓度分布，在上述低浓度区域上与上述第1导电型的杂质浓度分布交叉形成结点，在从上述主表面到上述结点的区域中，具有比上述第1导电型的杂质浓度分布所示的杂质浓度还高的第2导电型杂质浓度，而在上述第1深度和上述第2深度之间的区域中还具有极小点或拐点。