[发明专利]有关氮化镓的化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 97122567.2 | 申请日： | 1997-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN1155112C | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 上村俊也;柴田直树 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马莹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种有关GaN的材料的化合物半导体器件及其制造方法，其中在n型GaN化合物半导体层上，用选自V、Nb、Zr和Cr中的至少一种金属或含这些金属的合金制成基层。并在基层上形成由其它金属构成的主电极层。之后，将半导体层、基层和主电极层经热处理以制成n电极。 | ||
| 搜索关键词： | 有关 氮化 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有关GaN的材料的化合物半导体器件的制造方法，包括以下工艺步骤：形成n型GaN半导体层；在n型GaN层的一部分上形成电极的基层，用选自V、Nb、Zr和Cr中至少一种金属构成基层；在该基层上形成主电极层，用选自Al，Ti，Zn，Ta，Ni中的至少一种金属或含这些金属的合金构成主电极层；和在450℃至700℃之间的温度加热半导体层、基层和主电极层。
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