[发明专利]光生伏打元件及其制造法

摘要

由半导体结型元件组成的光生伏打元件，其特征是，该元件包括第1导电类型半导体层，非晶i型半导体层，微晶第2导电类型半导体层，这是pin结合的。制造光生伏打元件的方法和设备，其特征是，有效地而连续地大量生产光生伏打元件，它具有优良的电流电压特性，和优良的光电转换效率。光生伏打元件，在非晶i型层和微晶导电层之间有良好的晶格连续性，该方法和设备用于连续地大批量地生产光生伏打元件。

主权项

1、一种光生伏打元件，由半导体结元件组成，其特征是，所述 的元件包括第1导电类型的半导体层、非晶i型半导体层、微晶i 型半导体层，和微晶第2导电类型的半导体层，其中在所述微晶第 2导电类型的半导体层中最大杂质浓度的区域具有10²¹原子/cm³或 更大的杂质浓度，并且杂质浓度向着所述微晶i型半导体层减小； 以及所述元件是pin结元件。