[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 97122885.X | 申请日： | 1997-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN1163974C | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;大谷久;小山润;福永健司 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌;张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种其性能可与MOSFET性能相比的TFT。用促进结晶化的金属元素结晶的结晶硅膜形成半导体器件的有源层，并在含卤素气氛中热处理，除去金属元素。用众多种形或柱形晶体的集合构成该处理后的有源层。用该结晶结构制成的半导体器件有极高的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、包括半导体薄膜有源层的半导体器件的制造方法，包括下列工艺步骤：在有绝缘表面的衬底上形成非晶硅膜；所述非晶硅膜上选择形成掩模绝缘膜；允许所述非晶硅膜选择保留促进结晶化的金属元素；经第1热处理使至少一部分所述非晶硅膜转变成结晶硅膜；除去所述掩膜绝缘膜，经构图形成只用所述结晶硅膜构成的有源层；所述有源层上形成栅绝缘膜；在含卤素的气氛中进行第2热处理，经消气剂除去所述有源层中的所述金属元素，并在所述有源层与所述栅绝缘膜之间的界面处形成热氧化膜；和用第3热处理提高包括所述热氧化膜和所述界面态的栅绝缘膜的膜质量，其中，所述有源层是晶界按基本上一个方向对准和用基本上平行于所述衬底的众多针形或柱形晶体集合构成的结晶结构体。
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