[发明专利]冲击传感器无效

专利信息
申请号: 97123065.X 申请日: 1997-12-02
公开(公告)号: CN1186229A 公开(公告)日: 1998-07-01
发明(设计)人: 吉田谕纪 申请(专利权)人: 冲电气工业株式会社
主分类号: G01H11/02 分类号: G01H11/02;G01L5/00;B60R21/16
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 杜日新
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种冲击传感器,可以排除永磁体特性偏差对传感特性的影响,可以检测来自YZ方向360°全方位的撞击。冲击传感器20由以下部分构成设置于壳体21内的MR元件22;对MR元件22的输出进行波形整形的波形整形电路部23用于对MR元件22施加偏置磁场的线圈24;填充磁性流体25的密封容器26。
搜索关键词: 冲击 传感器
【主权项】:
1.一种冲击传感器,其特征在于包括:固定于壳体内的磁致电阻元件;用于向磁致电阻元件施加偏置磁场的线圈;填充于密闭容器的磁性流体,用于改变向磁致电阻元件施加的偏置磁场;对应磁致电阻元件的输出进行规定信号处理的输出电路部。
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