[发明专利]半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 97123495.7 | 申请日： | 1997-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1145199C | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | 石桥健夫;南出安由美;丰岛利之;片山圭一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/31;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在半导体器件层上形成能产生酸的第一抗蚀剂图形。在第一抗蚀剂图形上形成在有酸存在的情况下能发生交联反应的第二抗蚀剂层。然后，通过来自所述第一抗蚀剂的酸的作用在所述第二抗蚀剂层与所述第一抗蚀剂的交界部分形成交联膜。然后去掉所述第二抗蚀剂的未交联部分，形成微细间隔的抗蚀剂图形。利用所述的微细间隔抗蚀剂图形作为掩模刻蚀该半导体器件层，形成微间距或微孔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体器件层上形成在曝光时产生酸的第一抗蚀剂图形；在所述第一抗蚀剂上形成在有酸存在的情况下发生交联反应的第二抗蚀剂层，所述第二抗蚀剂由水溶性材料构成；通过来自第一抗蚀剂图形形成后残留于图形表面部分的酸的作用，在与所述第一抗蚀剂接触的所述第二抗蚀剂部分形成交联膜；除掉所述第二抗蚀剂的未交联部分，形成抗蚀剂图形；利用所述抗蚀剂图形作掩模刻蚀所述半导体器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/97123495.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高粘度材料用成形模、成形装置及成形方法
- 下一篇：半导体衬底及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
