[发明专利]栅控截止硅可控整流器的制造方法无效
| 申请号： | 97125353.6 | 申请日： | 1997-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1185039A | 公开（公告）日： | 1998-06-17 |
| 发明（设计）人： | N·加尔斯特尔;S·克拉卡;A·维伯尔 | 申请（专利权）人： | 亚瑞亚·勃朗勃威力有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/744 | 分类号： | H01L29/744 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈景峻,张志醒 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种两步法制造GTO(1)中高渗透性阳极侧发射极(2)的方法。第一道工序是对阳极侧发射极(2)进行纵深扩散处理,阳极侧发射极(2)的厚度大于0.5微米,掺杂浓度大于1017厘米－3。第二道工序通过局部调整载流子寿命调整阳极侧发射极(2)的注入效率。 | ||
| 搜索关键词： | 截止 可控 整流器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阳极侧个有阻断层(3)且具渗透性阳极侧发射极(2)的栅控截止硅可控整流器(1)的制造方法，其中第一道工序制取厚大于0.5微米小于5微米、掺杂浓度大于1017厘米-3小于5×1018厘米-3的阳极侧发射极(2)，第二道工序通过局部调整载流子的寿命来调整阳极侧发射极(2)的注入效率。
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