[发明专利]半导体只读存储器无效
申请号: | 97125562.8 | 申请日: | 1997-12-17 |
公开(公告)号: | CN1130731C | 公开(公告)日: | 2003-12-10 |
发明(设计)人: | 后藤宏二 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | G11C17/12 | 分类号: | G11C17/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯,叶恺东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 提供一种既可抑制电路规模的增大和对于高集成化的妨碍、又可谋求降低功率消耗的半导体只读存储器。所选择的存储单元2的存储的信息呈现在信号线19(0)~19(31)上,所选择的标志存储单元5的存储的信息呈现在信号线25上。各信号线19上呈现的信息在输出电路27的各输出部28(0)~28(31)中与信号线25上呈现的信息进行异或运算。将该运算结果作为读出数据从数据输出线DL0~DL31输出。 | ||
搜索关键词: | 半导体 只读存储器 | ||
【主权项】:
1.一种半导体只读存储器,其特征在于设有:存储单元阵列,该阵列备有多列存储单元组,该存储单元组具有配置成多行和多列、分别存储“0”或“1”的信息的多个存储单元;标志存储单元组,具有配置成与上述各存储单元组的数目相同的多行多列的多个标志存储单元,各标志存储单元存储表示上述多个存储单元组中的对应的行和对应的列中配置的存储单元中存储的信息是将应存储的数据变换后存储的变换信息或是按原有状态存储的非变换信息的“0”或“1”的信息;多个字线,配置成多行,分别与对应的行中配置的多个存储单元和多个标志存储单元连接;多个位线组,对应于上述各存储单元组而设置,分别具有配置成多列的多个位线,各位线与对应的存储单元组中的对应的列中配置的多个存储单元连接;标志用位线组,具有对应于上述标志存储单元组配置成多列的多个标志用位线,各标志用位线与上述标志存储单元组中的对应的列中配置的多个标志存储单元连接;第1预充电装置,用于对上述多个位线组的多个位线进行预充电;第2预充电装置,用于对上述多个标志用位线组的多个标志用位线进行预充电;位线选择装置,具有对应于上述多个位线组而设置的多个位线选择单元,各位线选择单元接收位线选择信号,选择对应的位线组的某一个位线;标志用位线选择装置,接收上述位线选择信号,选择上述标志用位线组的某一个标志用位线;输出电路,基于通过上述标志用位线选择装置选择的标志用位线上呈现的信息,对通过位线选择装置的多个位线选择单元选择的位线上呈现的信息进行变换后输出,或是按原有状态输出。
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