[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 97126000.1 | 申请日： | 1997-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1131567C | 公开（公告）日： | 2003-12-17 |
| 发明（设计）人： | 久本大;须藤敬己 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 为抑制在SOI衬底上形成的薄型SOI.MOSFET中的漂移衬底，栅(电极)具有一个双层结构并且其上栅极与SOI层(衬底)的侧边接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括具有由绝缘体组成的主表面的支承衬底、在上述绝缘体主表面上图形化的第一导电单晶半导体层、在上述单晶半导体层的主表面上形成的栅极绝缘薄膜、在上述栅极绝缘薄膜上图形化的第一栅极层以及与上述第一栅极层连接的第二栅极层，其中上述第二栅极层在侧边与上述单晶半导体层连接。
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