[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 97126369.8 | 申请日： | 1997-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN1134840C | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 荣森贵尚 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768;H01L21/31;H01L21/316 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体器件中确实形成高宽比大的接触孔。在半导体基片上形成层间绝缘膜，其与基片邻接的部分杂质浓度高，腐蚀率高；在离开基片部分杂质浓度低腐蚀率低；用各向异性腐蚀开孔，形成贯通层间绝缘膜的接触孔，然后用各向同性腐蚀扩大接触孔的下部，形成接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底层；层间绝缘膜，它由在该半导体衬底层上形成的多个腐蚀率不同的层构成；和在设置在该层间绝缘膜上的开孔中形成的与所述半导体衬底层的接触，所述接触在所述层间绝缘膜内与所述半导体衬底层的邻接部分被径向方向地扩大。
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