[发明专利]外加磁场的丘克拉斯基晶体生长系统

摘要

一种外加磁场的丘克拉斯基晶体生长系统，具有至少一个容纳熔融的半导体材料的生长炉，在预定方向从熔融的半导体材料提拉晶体的提拉装置，和产生向熔融的半导体材料施加的磁场的磁场发生器。磁场发生器具有多个磁体单元，和把各磁体单元耦合在一起的耦合机构，以使生长炉位于所述磁体单元之间。

主权项

1.一种外加磁场的丘克拉斯基晶体提拉法生长设备，包括：至少一个容纳熔融的半导体材料的生长炉，在预定方向从熔融的半导体材料提拉晶体的提拉装置，多个磁体单元，用于产生磁场，所述磁场施加到熔融的半导体材料上，和把所述各磁体单元耦合在一起的耦合机构，以使所述至少一个生长炉位于磁体单元之间；每个所述磁体单元沿预定方向延伸并且构成会切磁场，施加到熔融的半导体材料上；并且每个所述磁体单元是直接冷却的超导磁体，并且包括：真空容器，分别设置在低温恒温器的真空容器中的超导线圈；安装在低温恒温器上，用于直接冷却超导线圈，从而将超导线圈设定在超导状态的致冷器。