[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号： | 97126412.0 | 申请日： | 1997-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN1156026C | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 西谷干彦;根上卓之;小原直树;和田隆博;桥本泰宏 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/06 | 分类号： | H01L31/06;H01L31/0264;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太阳能电池，包括以下部分：衬底；背电极，形成在所述衬底上；p型黄铜矿结构半导体膜，形成在所述背电极上；n型半导体膜，形成以与所述p型黄铜矿结构半导体膜形成pn结构；透明电极，形成在所述n型半导体膜上；其特征是：在所述p型黄铜矿结构半导体膜和所述n型半导体膜之间形成电阻率比所述p型黄铜矿结构半导体膜高的材料，该材料在p-型黄铜矿结构半导体膜表面上的多个晶界上形成岛状。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种太阳能电池，包括以下部分：衬底；背电极，形成在所述衬底上；p型黄铜矿结构半导体膜，形成在所述背电极上；n型半导体膜，以与所述p型黄铜矿结构半导体膜形成pn结构；透明电极，形成在所述n型半导体膜上；其特征是：在所述p型黄铜矿结构半导体膜和所述n型半导体膜之间形成电阻率比所述p型黄铜矿结构半导体高的材料，该材料在所述p-型黄铜矿结构半导体膜表面上的多个晶界上形成岛状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
