[发明专利]半导体产品的制造工艺无效
| 申请号： | 97126486.4 | 申请日： | 1997-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1104036C | 公开（公告）日： | 2003-03-26 |
| 发明（设计）人： | 坂口清文;米原隆夫;阿闭忠司 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体产品的方法，包括以下步骤制造包括硅衬底的第一衬底，其上具有多孔硅层和设置于所述多孔硅层上的无孔半导体层；键合所述第一衬底和第二衬底，形成具有所述无孔半导体层设置于其中的多层结构；使所述多层结构的所述第一和第二衬底沿所述多孔硅层彼此分离；及去掉残留于所述分离的第二衬底上的多孔硅层，其特征在于，所述分离步骤包括加热所述多层结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 产品 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体产品的方法，包括以下步骤：制造包括硅衬底的第一衬底，其上具有多孔硅层和设置于所述多孔硅层上的无孔半导体层；键合所述第一衬底和第二衬底，形成具有所述无孔半导体层设置于其中的多层结构；使所述多层结构的所述第一和第二衬底沿所述多孔硅层彼此分离；及去掉残留于所述分离的第二衬底上的多孔硅层，其特征在于，所述分离步骤包括加热所述多层结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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