[发明专利]氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法无效
| 申请号： | 97129713.4 | 申请日： | 1997-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN1150632C | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 上村俊也;柴田直树;野杁静代;伊藤润;村上正纪;小出康夫 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 用汽相淀积在p+层上形成包括钴(Co)的层，并把包括金(Au)的层形成在其上。通过热处理将这两层合金化，以便形成透光电极。因此，透光电极有降低的接触电阻和改善的透光性，并长时间内提供稳定的发光图形。此外，由于钴(Co)是一种有较大功函数的元素，所以可获得令人满意的欧姆特性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 化合物 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基化合物半导体发光器件，包括：P型GaN基化合物半导体层；和固定在所述p型GaN基化合物半导体层上有透光特性和欧姆特性的电极，其特征在于，所述电极包括从钴合金、钯和钯合金组成的组中至少选择一种构成的金属层。
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