[发明专利]制造半导体衬底的方法无效
| 申请号： | 97129782.7 | 申请日： | 1997-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1156027C | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 中川克己;米原隆夫;西田彰志;坂口清文 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了达到晶体的高性能和半导体衬底的低成本，以便低成本地制造具有高效率和柔软形状的太阳电池，利用下述步骤制造半导体衬底，(a)在衬底的表面形成多孔层，(b)把多孔层在高温还原气氛下浸入溶解了用于形成待生长的半导体层的元素的溶液，以便在多孔层表面上生长晶体半导体层，(c)把另一衬底连接在其上形成多孔层和半导体层的衬底表面上，(d)在多孔层从另一衬底分离该衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造半导体衬底的方法，包括下列步骤： 在第1衬底表面区中形成多孔层； 利用液相外延在多孔层上形成半导体层； 把第2衬底粘接到与粘接在第1衬底上的半导体层表面相对的半 导体层表面上；以及 利用多孔层分离第1衬底和半导体层，以便把半导体层转移到第 2衬底上， 其特征是，利用熔液进行所述液相外延，其中，把用于形成待生 长的半导体层的元素溶解成过饱和状态或基本上过饱和状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
