[发明专利]介质谐振器、介质滤波器、介质双工器以及振荡器无效
| 申请号： | 97180610.1 | 申请日： | 1997-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1240538A | 公开（公告）日： | 2000-01-05 |
| 发明（设计）人： | 梶川武久;坂本孝一;山下贞夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01P7/10 | 分类号： | H01P7/10;H01P1/20;H01P1/213;H03B5/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种介质谐振器,它可以减小尺寸,并容易地调节谐振部分和安排在谐振部分附近的电极之间的耦合。具有开口的导电体(2a和2b)形成在介质基片(2)的两个主表面上,从而开口可以相对。电极(5)和(6)分别形成在支持部件(3a和3b)的一个主表面上。支持部件(3a和3b)如此安排,从而其间具有隔离物(9),支持部件(3a和3b)可以沿基片(2)的厚度方向以预定的间隔与(2)面对。第一和第二导电极(4a和4b)与基片(2)和支持部件(3a和3b)分开预定的距离。介质基片(2)在导电体(2a和2b)的相对的开口之间的部分用作谐振部分。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 谐振器 滤波器 双工器 以及 振荡器 | ||
【主权项】：
1.一种介质谐振器，其特征在于包含：介质基片，形成在所述介质基片的一个主表面上的第一导电体，形成在所述介质基片的另一个主表面上的第二导电体，形成在所述第一导电体上的第一开口，从而所述介质基片暴露于所述第一导电体，形成在第二导电体上的第二开口，从而介质基片暴露于第二导电体，第一导电板，所述第一导电板和所述第一导电体分开，以便覆盖至少所述第一开口，第二导电板，所述第二导电板和所述第二导电体分开，以便覆盖至少所述第二开口，由所述第一开口和所述第二开口定义的谐振部分，支持部件，所述支持部件沿所述介质基片的厚度方向和介质基片分开，及形成在支持部件上的电极。
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