[发明专利]单晶制造方法及单晶制造装置无效

专利信息
申请号: 97180857.0 申请日: 1997-10-23
公开(公告)号: CN1125199C 公开(公告)日: 2003-10-22
发明(设计)人: 中田仗祐 申请(专利权)人: 中田仗祐
主分类号: C30B30/08 分类号: C30B30/08
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 沈昭坤
地址: 日本京都*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明揭示一种单晶制造方法和单晶制造装置,是关于通过使原料熔融的熔液成为过冷却状态的粒状熔液、在微重力环境中降低悬浮状态熔液部分表面的自由能、生长单晶,从而制造粒状单晶的技术。单晶制造装置(31)具有金聚焦炉(35),室(33),原料供给保持机构(38),落下管道(36、37),转动板(39),回收槽(40)等。加热半导体材料组成的原料(32a)使之熔融,然后使其在落下管道(36、37)的真空中自由落体,在落下途中,使过冷却状态的球状熔液(32b)的部分表面与转动板(39)的固体表面接触,生成晶核,其后,由晶核生长单晶,成为球状单晶(32c),回收于回收槽(40)内。
搜索关键词: 制造 方法 装置
【主权项】:
1.一种熔融原料然后使之凝固制造单晶的方法,其特征在于包括下述工序:加热原料使之熔融的第1工序;降低所述原料熔液温度使熔液成为过冷却状态的粒状熔液的第2工序;在微重力环境中使所述过冷却状态的粒状熔液保持悬浮状态、通过使该粒状熔液的部分表面短时间接触化学稳定性高的固体表面,降低该粒状熔液部分表面的表面自由能、使在粒状熔液中生成晶核的第3工序;在微重力环境下使具有所述晶核的粒状熔液凝固成粒状单晶的第4工序。
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