[发明专利]高密度电连接器无效

专利信息
申请号: 97180869.4 申请日: 1997-12-19
公开(公告)号: CN1145216C 公开(公告)日: 2004-04-07
发明(设计)人: L·H·赫瑟尔波姆;J·P·博德 申请(专利权)人: 艾利森电话股份有限公司
主分类号: H01L29/41 分类号: H01L29/41;H01L29/06;H01L23/42;//H01L21/60;H05K3/40
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 崔幼平
地址: 瑞典斯*** 国省代码: 瑞典;SE
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摘要: 一种连接器,其包括至少一第一部分和一第二部分,其中,第一部分有至少一个导电通路,并且,第二部分有至少一个导电通路,其中当把第一部分与第二部分装配在一起时,这些导电通路彼此接触,其中,第一部分有V形凹槽而第二部分有突起,V形凹槽的倾斜的壁和突起的倾斜的壁有相同的倾斜,其中,V形凹槽有至少一个导电通路,突起结构有至少一个导电通路,并且,突起装配进V形凹槽中,其特征在于,第一部分(204)有两个金属层结构,至少一个第一导电通路(212)和至少一个第一接地平面(210),其中金属层覆盖着V形凹槽(202),第二部分(208)有两个金属层结构,至少一个第二信号通路(224)和至少一个第二接地平面(226),其中信号通路部分地覆盖着突起(206)。
搜索关键词: 高密度 连接器
【主权项】:
1.一种连接器,其包括至少一第一部分和一第二部分,其中,第一部分有至少一个导电通路,并且,第二部分有至少一个导电通路,其中当把第一部分与第二部分装配在一起时,这些导电通路彼此接触,其中,第一部分有V形凹槽而第二部分有突起,V形凹槽的倾斜的壁和突起的倾斜的壁有相同的倾斜,其中,V形凹槽有至少一个导电通路,突起结构有至少一个导电通路,并且,突起装配进V形凹槽中,其特征在于,第一部分(204)有两个金属层结构,至少一个第一导电通路(212)和至少一个第一接地平面(210),其中金属层覆盖着V形凹槽(202),第二部分(208)有两个金属层结构,至少一个第二信号通路(224)和至少一个第二接地平面(226),其中信号通路部分地覆盖着突起(206)。
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