[发明专利]利用错误定位码校正一个多级单元存储器的方法和装置无效
| 申请号： | 97180925.9 | 申请日： | 1997-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN1113294C | 公开（公告）日： | 2003-07-02 |
| 发明（设计）人： | D·H·勒曼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,王岳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种校正从一个多级单元存储器(204)读取的数据的方法和装置。该多级单元能够存储三个或更多的电荷状态。从该多级单元中读取的第一电荷状态被确定为是错误的。如果该多级单元保持第二电荷状态，就提供一个与保持第二电荷状态的所述多级单元相对应的输出，其中第二电荷状态的电荷比第一电荷状态的电荷多。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 错误 定位 校正 一个 多级 单元 存储器 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种从一个存储器的一多级单元中读取数据的方法，该多级单元能够存储三个或更多的电荷状态，该方法包括下列步骤：(a)通过使用错误定位码确定从该多级单元读取的第一电荷状态是错误的；和(b)提供一个与保持第二电荷状态的所述多级单元相对应的输出，其中所述第二电荷状态的电荷比第一电荷状态的电荷多，并且其中所述第一电荷状态由所述多级单元中从所述第二电荷状态的单向电荷损失所产生。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/97180925.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：自动检测仪的装置
- 下一篇：感应加热的催化反应器
