[发明专利]一种用于编程半导体存贮器的方法和装置无效
| 申请号： | 97181684.0 | 申请日： | 1997-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1118825C | 公开（公告）日： | 2003-08-20 |
| 发明（设计）人： | J·J·瓦鲁卡斯 | 申请（专利权）人： | 艾利森公司 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00;G11C16/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,李亚非 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种交错闪速存贮器编程与E2ROM存贮器编程的方法和装置。在一些示范性实施例中，E2ROM以页为单位接收数据，而闪速存贮器以页或单个字节为单位接收数据。因此，第一示范性技术交错页写E2ROM编程与页写闪速存贮器编程。第二示范性技术交错页写E2ROM编程与字节写闪速存贮器编程。E2ROM编程部分与闪速存贮器编程部分并行执行，因此加速了整个编程时间(与以串行方式执行E2ROM和闪速存贮器编程相比)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 编程 半导体 存贮器 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种用于写第一信息流至第一半导体存贮设备和写第二信息流至第二半导体存贮设备的方法，其中所述第一和第二信息流分别包括单独的第一和第二二进制文件，包括步骤：写所述第一信息流的一部分至所述第一存贮设备；存储所述第一流的所述部分至所述第一存贮设备的一缓冲器中；在第一传送步骤中，从所述缓冲器传送所述第一流的所述部分至所述第一存贮设备的存贮阵列；与所述第一传送步骤同时地：写所述第二信息流的一部分至所述第二存贮设备；存储所述第二信息流的所述部分至所述第二存贮设备的一缓冲器中；以及在第二传送步骤中，从所述第二存贮设备的所述缓冲器传送所述第二流的所述部分至所述第二存贮设备的存贮阵列。
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