[发明专利]半导体集成电路器件无效

专利信息
申请号: 97181819.3 申请日: 1997-02-17
公开(公告)号: CN1137492C 公开(公告)日: 2004-02-04
发明(设计)人: 鲇川一重;渡部隆夫;成田进 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: G11C11/407 分类号: G11C11/407
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 付建军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一个存储器宏(MM),它是下列功能模块的组合:例如一个主放大器模块(13),每个存储器体都独立工作的存储器体模块(11),一个电源电路(14)等。存储器宏(MM)的存储容量可以很简单地通过改变存储器体模块(11)的数量来从大容量变到小容量。在存储器宏(MM)的存储器体模块(11)中的控制电路(BKCONTH)有一个附加的地址比较功能(COMP)。因此,能够高速地访问同一页而不用任何存储器宏(MM)外部的控制电路。另外,还提供了具有例如存储器访问顺序控制功能的模块(17),并且,当进行存储器访问时,在输入/输出地址或数据的同时产生一个标识信息(ID)。因此,通过用ID来校验数据和地址之间的一致性以及控制存储器访问顺序从而改变地址输入顺序和数据输出顺序,可以实现高速的存储器访问。
搜索关键词: 半导体 集成电路 器件
【主权项】:
1.一种在半导体基片上具有存储器的半导体集成电路器件,所述存储器包括:一种存储单元阵列;一种连接到所述存储单元阵列的灵敏放大器块;一种连接到所述存储单元阵列的行译码器;一种连接到所述灵敏放大器块的列译码器;以及一种用来控制所述存储单元阵列、所述行译码器、所述列译码器和所述灵敏放大器块的控制器;其中所述控制器在下一个存储周期内另一个地址进入后保存一个存储周期内的一个地址;其中所述控制器将一存储周期内的地址与下一个存储周期的另一个地址进行比较,当两个地址通过所述比较结果匹配时,使保存在所述灵敏放大器块中的数据输出到所述存储器的外部而不从所述存储器阵列中读取数据,以及其中所述控制器还输出一个信号,指示所述存储器的外部准备从所述存储器读出数据或对所述存储器写入数据。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所,未经株式会社日立制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/97181819.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code