[发明专利]II－VI族半导体器件有效
| 申请号： | 97181933.5 | 申请日： | 1997-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1150633C | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 钱丰廉;M·A·哈泽;T·J·米勒 | 申请（专利权）人： | 美国3M公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/327 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种II-VI族半导体器件，包括半导体层的叠层(10)。设有电气耦合到叠层的欧姆接触(34)。此欧姆接触在暴露于氧化物质时具有一氧化率。钝化覆盖层(42)覆盖在此欧姆接触上，且其氧化率小于欧姆接触的氧化率。 | ||
| 搜索关键词： | ii vi 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于包括：半导体层的叠层；电气耦合到此叠层的欧姆接触，此欧姆接触包括包含Be的II-VI族半导体且在暴露于氧化材料中时具有一氧化率；以及覆盖在欧姆接触上的钝化覆盖层，所述覆盖层的氧化率小于欧姆接触的氧化率，该钝化覆盖层包括ZnTe。
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