[发明专利]制做薄膜致动反射镜阵列的方法无效
| 申请号： | 97182217.4 | 申请日： | 1997-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN1254479A | 公开（公告）日： | 2000-05-24 |
| 发明（设计）人： | 闵庸基 | 申请（专利权）人： | 大宇电子株式会社 |
| 主分类号： | H04N9/31 | 分类号： | H04N9/31;G02B26/08 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于制做用于光学投影系统中的薄膜致动反射镜(401)的阵列的方法,该方法包括有步骤设置一基底(310)在该基底的顶上沉积一薄膜待除层;在该薄膜待除层上生成M×N空腔的一阵列;在该薄膜待除层包括这些空腔的顶上沉积一弹性层;将该弹性层构型成M×N弹性部件(335)的一阵列;在该基底上形成M×N开关装置(415)的一阵列;在各弹性部件和开关装置的顶上沉积一钝化层(340)和一蚀刻剂阻止层(350);选择地去除该蚀刻剂阻止层和该钝化层以使这些弹性部件被暴露出;连续地在各弹性部件的顶上形成M×N第二薄膜电极(365)的一阵列和M×N薄膜电致位移部件(375)的一阵列形成M×N第一薄膜电极的一阵列和接触部件的一阵列;去除该薄膜待除层,从而形成M×N致动机构的一阵列;用一待除材料覆盖该M×N致动机构的阵列;在该待除材料的顶上沉积一反射镜层将该反射镜层构型成M×N反射镜的一阵列;及去除该待除材料,从而形成该M×N薄膜致动反射镜阵列。为了防止有源矩阵的热损伤,在本发明的方法中,在所有高温处理完成后,在基底(310)上形成M×N开关装置(415)的一阵列,进而减少了在该开关装置(415)的阵列上出现的热损伤的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 制做 薄膜 反射 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制做用于光学投影系统中的薄膜致动反射镜阵列的方法，该方法包括有步骤：设置一基底；在该基底的顶上沉积一薄膜待除层；在该薄膜待除层上生成M×N空腔的一阵列；在该薄膜待除层包括这些空腔的顶上沉积一弹性层；将该弹性层构型成M×N弹性部件的一阵列；在该基底上形成M×N开关装置的一阵列；在各弹性部件和开关装置的顶上沉积一钝化层和一蚀刻剂阻止层；选择地去除该蚀刻剂阻止层和该钝化层以使这些弹性部件被暴露出；在各弹性部件的顶上形成M×N第二薄膜电极的一阵列和M×N薄膜电致位移部件的一阵列；形成M×N第一薄膜电极的一阵列和接触部件的一阵列；去除该薄膜待除层，从而形成M×N致动机构的一阵列；用一待除材料覆盖该M×N致动机构的阵列；在该待除材料的顶上沉积一反射镜层；将该反射镜层构型成M×N反射镜的一阵列；及去除该待除材料，从而形成该M×N薄膜致动反射镜阵列。
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