[发明专利]输出电路无效
申请号: | 97190188.0 | 申请日: | 1997-03-12 |
公开(公告)号: | CN1130021C | 公开(公告)日: | 2003-12-03 |
发明(设计)人: | 河野治美 | 申请(专利权)人: | 冲电气工业株式会社 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185;H03K19/0948;H03K19/003 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种即使外部元件的电源电压高于内部装置的电源电压时也能抑制发生从外部元件电源流向内部装置电源的漏泄电流的输出电路。即使从外部电路等在输出端子(8)上输入比电源端子(6)的电位3V高的电位5V,由于作为PMOS晶体管(P12)、(P13)、(P14)衬底的浮置状态的N型阱(B1)上升到接近5V,所以也能使PMOS晶体管(P12)、(P13)变为截止状态。如果PMOS晶体管(P12)、(P13)变为截止状态,则5V电位不会加到PMOS晶体管(P1),因而就不会有漏泄电流通过PMOS晶体管(P1)的衬底流到电源端子(6)。而由于作为PMOS晶体管(P12)、(P13)及(P14)衬底的浮置状态的N型阱(B1)本身不与3V的电源端子(6)连接,所以能防止漏泄电流从输出端子(8)流到电源端子(6)。 | ||
搜索关键词: | 输出 电路 | ||
【主权项】:
1.一种输出电路,其特征在于,备有:第1MOS晶体管(P1),具有与第1节点连接的栅极、与第1电源端子连接的一个端子、与第2节点连接的另一个端子、与上述第1电源端子连接的衬底端子;第2MOS晶体管(P13),具有与上述第1节点连接的栅极、与上述第2节点连接的一个端子、与输出端子连接的另一个端子、与处在浮置状态第3节点连接的衬底端子;第3MOS晶体管(P14),具有与上述第1电源端子连接的栅极、与上述第1节点连接的一个端子、与上述输出端子连接的另一个端子、与上述第3节点连接的衬底端子;以及第4MOS晶体管(P12),具有与上述第1节点连接的栅极、与上述第2节点连接的一个端子、与上述第3节点连接的另一个端子、与上述第3节点连接的衬底端子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于冲电气工业株式会社,未经冲电气工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/97190188.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:弹性接口装置及其方法
- 下一篇:球类运动装置